化學機械拋光通常稱為 CMP (Chemical Mechanical Polishing)。這個過程是晶圓表面用含有磨料的CMP漿料進行化學機械拋光，這些拋光液一般含有活性化學制劑。

為什么叫化學機械拋光？因為整個拋光過程中，機械拋光和化學腐蝕同時起作用，拋光作用部分是機械研磨的，部分是化學腐蝕的。化學作用腐蝕晶圓表面，然后通過拋光設備向被拋元件施加機械壓力，機械研磨帶走腐蝕的表面材料，從而提高材料去除率。根據被拋光材料的特性，新創納會量身定做各種cmp拋光液。

化學機械拋光應用

新創納生產的CMP化學機械拋光液用途廣泛，專為精度要求高、表面質量至關重要的拋光應用而設計。

我們CMP拋光液可根據客戶不同的拋光墊、拋光機等定制，個性化的滿足您的特殊需求。

可使用 CMP 拋光的具體應用領域主要包括：

硅片拋光Cmp

金屬表面拋光，包括不銹鋼拋光、鋁板鋁合金拋光

氮氧化硅、氧化物的拋光

藍寶石SA、氮化鎵GaN和碳化硅SiC晶圓的拋光

LED芯片的背面減薄拋光

LT鉭酸鋰(LiTaO3)的拋光

氧化鋁拋光液

化學機械拋光解決方案

新創納的化學機械拋光液可為最大直徑達 300mm 的晶圓提供納米級材料去除功能，并可用于目前設備制造過程中使用的各種晶圓/基板材料。

它們達到CMP化學機械拋光的行業控制和去除標準，并產生較好的表面質量（0/0 scratch dig），通過工藝改進，還可以達到Ra亞納米水平。

我們的CMP化學機械拋光的進一步功能和優勢包括：

拋光過程中的工藝調節

處理超硬材料和軟材料

適合各種晶圓尺寸

可用的高向下負載設置

后壓力設置，以獲得更好的結果

根據實時監控的拋光效果調節拋光工藝